Общие сведения

Транзисторы составные биполярные КТ829А (D, АМ) предназначены для использования в выходных каскадах автомобильных регуляторов напряжения, в схемах управления сервоприводом, а также в усилителях низкой частоты.

Структура условного обозначения

КТ829Х:
КТ - транзистор кремниевый биполярный;
8 - обозначение назначения транзистора (большой мощности
с граничной частотой от 3 до 30 МГц);
29 - порядковый номер разработки;
Х - классификационная группа по параметрам (А; D; АМ).

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ829А, D в соответствии с требованиями аАО.336.292 ТУ-86, транзистора КТ829АМ - аАО.336.292 ТУ/Д1-98. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ829А, D) и до 125°С (КТ829АМ). Температура корпуса транзистора от минус 40 до 100°С (КД829А, D) и от минус 60 до 125°С (КД829АМ). аАО.336.292 ТУ-86;аАО.336.292 ТУ/Д1-98

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров транзисторов приведены в табл. 1, статические и динамические характеристики - в табл. 2.

Таблица 1

Наименование параметра	Буквенное обозначение			Режим измерения *
		КТ829А(D)	КТ829АМ
Граничное напряжение, В, для групп: А D АМ	U КЭО гр	100 140 –	– – 100	I K =0,1A L К =40мГн
Максимально допустимое напряжение коллектор-база, В, для групп: А D АМ	U КБО mах	100 200 –	– – 150	I КБО =0,1 мА
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В	U ЭБО mах	5		I ЭБО =2 мА I К =0
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А	I K mах	8	10	–
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А	I K, ИМП mах	12
Максимально допустимый постоянный ток базы, А	I Б mах	0,2
Максимально допустимый импульсный ток базы, А	I Б, ИМП mах	0,5	–
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт	p K mах	60		Т П =150 ° С
Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж	E ВП mах	–	20	I K =2 A L K =10 мГн R БЭ =100 Ом
Максимально допустимая температура перехода, ° С	Т П mах	150		–
* Температура корпуса 25 ° С

Таблица 2

Наименование параметра	Буквенное обозначение	Значение параметра для транзисторов типов		Режим измерения *
		КТ829А(D)	КТ829АМ
Обратный ток коллектор-база, мА типовой	I КБО	0,01		U КБО для групп: А – 100 В, D – 200 В АМ – 150 В I Э =0
максимальный		0,2	0,1
Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА	I ЭБО	2		U ЭБО =5 В I К =0
Статический коэффициент передачи тока: минимальный типовой максимальный	h 21Э	750 2000 9000	1000 5000 12 000	I K: 3 A – КД829А, D; 10 A – КД829АМ U КЭ =3 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: минимальное типовое максимальное	U КЭ нас		0,9 1 1,2	I K: 3 A – КТ829А, D; 5 A – КТ829АМ I Б =0,012 А
Напряжение насыщения база-эмиттер, В: типовое максимальное	U БЭ нас	2 2,5	1,6 1,8
Время выключения, мкс: типовое максимальное	t ВЫКЛ	4 6		I K: 3 А – КТ829A, D; 5 А – КТ829АМ I Б =±0,012 А
Максимальное тепловое сопротивление переход-корпус, ° С/Вт	R Т П-К	2,08		U КЭ: 15 В – КТ829A, D 20 B – КТ829АМ I K: 4 А – КТ829А, D; 3 А – КТ829АМ
* Температура корпуса 25 ° С.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов в корпусе КТ-28 (ТО-220) представлены на рис. 1, электрическая схема - на рис. 2.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ829А, D и КТ829АМ в корпусе КТ-28: 1 - база;
2 - коллектор;
3 - эмиттер

Электрическая схема транзисторов КТ829А, D и КТ829АМ: VT1, VT2 - транзисторы;
R1 - согласующий резистор 8 кОм (КТ829А, D и 10 кОм (КТ829АМ);
R2 - согласующий резистор 80 Ом (КТ829А, D) и 100 Ом (КТ829АМ);
VD1 - демпферный диод;
1-3 - по рис. 1 Масса транзисторов не более 3 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10 - 6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы, этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов, потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 200 шт.